文：第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、馬云飛

圖：第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟

 2022年8月6日，由保定市人民政府、河北省科學技術協(xié)會、河北省發(fā)展和改革委員會、河北省工業(yè)和信息化廳、河北省科學技術廳、第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟聯(lián)合主辦，保定國家高新區(qū)管委會、保定市科學技術協(xié)會、保定市發(fā)展和改革委員會、保定市工業(yè)和信息化局、保定市科學技術局、淶源縣人民政府承辦的2022白石山第三代半導體峰會在河北淶源順利召開。

中國院士、中國副院長、中國大學黨委書記、校長李樹深，中國院士、北京大學教授甘子釗，中國工程院院士、清華大學教授羅毅等院士專家；河北省政府黨組成員、副省長胡啟生的省直部門及央企；中國國電集團公司原副總經理、黨組成員張成杰, 國家新材料產業(yè)發(fā)展專家咨詢委員會委員、第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長吳玲,北京大學理學部副主任、寬禁帶半導體研究中心主任、CASA副理事長沈波, CASA副理事長兼秘書長、中科院半導體所原副所長楊富華，以及其他來自相關政府部門、科研院校、企業(yè)的與技術專家通過線上、線下的方式參與了開幕式。

保定市委副書記、市政府市長閆繼紅主持峰會開幕式。廣電計量作為第三代半導體檢測領域的重要參與者，受邀參與此次活動并做主題演講。

技術專家與嘉賓發(fā)言

白石山第三代半導體峰會始于2021年，是由保定市人民政府和第三代半導體產業(yè)技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟共同發(fā)起、在保定淶源打造的峰會，為政府、專家學者、企業(yè)搭建了共商第三代半導體技術應用、投資以及發(fā)展相關問題的高層對話平臺。本次會議以“同‘芯’共贏"為主題，瞄準國家重大戰(zhàn)略需求及產業(yè)鏈需求，結合推進碳中和及發(fā)展新興產業(yè)的要求，探討第三代半導體技術與應用。

廣電計量在第三代半導體領域構筑了較為全面的檢測能力，具備豐富的檢測經驗。作為第三方檢測機構代表，廣電計量元器件篩選與失效分析中心總監(jiān)、第三代半導體技術副總監(jiān)李汝冠博士向與會嘉賓做《第三代半導體功率器件檢測技術發(fā)展》報告，詳細闡述了Si基器件標準應用于第三代半導體檢測情況以及第三代半導體器件檢測新需求。他指出，第三代半導體優(yōu)勢明顯、應用廣泛，是半導體行業(yè)發(fā)展的核心方向，如何應用新的方式對第三代半導體進行質量及可靠性的評估與準確測量，是未來第三方檢測行業(yè)的重要機遇和挑戰(zhàn)。

基于廣電計量豐富的第三代半導體器件檢測經驗，李汝冠提出基于傳統(tǒng)半導體的檢測技術及檢測標準（如AEC-Q101）進行直接應用，以暴露第三代半導體器件的薄弱環(huán)節(jié)；并依據第三代半導體的特殊性，引入針對第三代半導體器件的測試方法，如SiC MOS的柵極氧化層可靠性測試、偏壓溫度不穩(wěn)定性測試、體二極管雙極性退化測試、閾值電壓測試、GaN HEMT的動態(tài)導通電阻測試等方法。同時，針對第三代半導體器件的測試方法，需增加動態(tài)應力試驗，以觸發(fā)在遵循標準的靜態(tài)試驗中觀察不到的失效機制，為第三代半導體企業(yè)的可靠性檢測提供了重要的思路建議。

廣電計量技術專家做主題報告

北京大學東莞光電研究院院長、北大寬禁帶半導體研究中心原主任張國義，中國半導體所黨委副書記、書記樊志軍，中國半導體研究所副所長張韻，國家第三代半導體技術創(chuàng)新主任張魯川，國基北方總經理、十三所常務副所長崔玉新，火炬中心高新技術產業(yè)發(fā)展處副處長陳彥等專家代表也參與了此次活動。51萬余人次在線觀看了峰會直播。

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第三代半導體在新基建七大領域都有其廣泛的應用前景。黨、高度重視第三代半導體發(fā)展，將其列入國家重點規(guī)劃和科技專項支持。而檢測是提高半導體器件質量與可靠性的重要保障。廣電計量作為國有第三方檢測機構，在我國第三代半導體發(fā)展過程中，秉承國企擔當，在光電子、電力電子、微波射頻等第三代半導體三大應用領域構筑了較為全面的檢測能力。

公司在第三代半導體檢測領域（SiC、GaN）合作客戶20余家，檢測樣品數量百批次、數量數萬只。其中在光電子檢測領域合作客戶數十家，涉及型號近百個；在電力電子領域，覆蓋了現行所有可靠性測試標準，單在SiC領域合作客戶十余家，是國內SiC檢測度廣、技術能力的第三方檢測機構之一；在微波射頻領域，助力完成車規(guī)標準的微波射頻的測試，并向更高頻率、更高功率領域布局。